近期，英嘉通与铭普联合推出了一款65W碳化硅PD快充产品。经拆解发现，与传统的氮化镓充电器有所不同，此款65WPD快充的初级开关管运用了英嘉通IGC380R075C3P碳化硅方案。基于该器件的设计，充电器体积得以大幅缩减，三围尺寸仅为60.5×31×34mm，功率密度高达1.02W/cm³。
以往，行业内通常认为碳化硅更适合应用于高功率、高密度电源以及汽车、工业等千伏高压平台，而氮化镓则主要在650V以下的较低压、低功率的消费级场景中发挥优势。然而，随着英嘉通8英寸碳化硅产线的逐步建设推进，碳化硅成本呈现出不断下降的趋势，在部分产品中，其系统成本已低于氮化镓，打破了碳化硅以往的应用局限，使其成功踏入消费级PD适配器市场。
此外，充电头网依据Canalys调研数据获知，2025年第一季度，全球智能手机市场出货量达到2.969亿台，其中三星、苹果两大厂商累计出货量高达1.155亿台，由此催生了规模可观的充电器需求缺口。在此背景下，碳化硅在PD快充领域的发展前景广阔，有望开拓出一片新的蓝海市场。
本场充电头网收到的充电器，仅有产品本体，充电器采用主流柱状造型设计，外壳为PC阻燃防火塑料材质，机身表面哑光工艺处理抗指纹。腰身一面印有mentech铭普。另一面印有英嘉通宣传语“SiC To Go”，证明这是一款内置碳化硅器件的充电器。
简单看过产品外观，充电头网继续为您介绍其内置的英嘉通碳化硅功率器件IGC380R075C3P。
铭普这款充电器内置的初级开关管来自INGACOM英嘉通，型号IGC380R075C3P，这是一颗耐压750V的碳化硅开关管，采用PDFN5*6封装。
英嘉通IGC380R075C3P作为一款高性能碳化硅（SiC）功率开关管，具备高阻断电压与低导通电阻特性，结合高速开关与低寄生电容设计，可显著降低开关损耗，提升系统效率。其雪崩耐量强，驱动简单且支持并联，便于高功率应用扩展，同时符合无卤素与RoHS环保标准，满足严苛的工业要求。
采用IGC380R075C3P可带来多重优势：通过降低导通与开关损耗，实现更高系统效率；优化的热性能减少散热需求，降低冷却成本；紧凑设计助力提升功率密度，并支持更高开关频率，适用于高频电力电子系统。
器件可广泛应用于光伏逆变器、开关电源（SMPS）、高压DC/DC变换器等新能源领域，以及电池充电器、电机驱动和脉冲功率系统（如激光、雷达），助力客户构建高效、高可靠性的电力转换解决方案。
英嘉通IGC380R075C3P 750V碳化硅功率器件具有高阻断电压、低导通电阻和低开关损耗特性，可提升系统效率。其设计优化了热性能，减少了散热需求，同时支持更高开关频率和功率密度，兼具更小的器件尺寸、性能与成本优势，在PD快充产品中，厂商可在原有硅MOS和氮化镓方案基础上拓展，直接选择750V碳化硅方案。
本次在铭普65W碳化硅充电器的应用，展示了英嘉通750V碳化硅器件在消费级快充电源领域的应用潜力，有望引发其他品牌商合作，推动碳化硅在消费级市场的扩展。
充电头网了解到，英嘉通半导体主要聚焦第三代半导体的研发和销售，主要产品包括GaN功率器件、SiC功率器件和GaN射频器件等。产品应用于消费、工业和汽车等领域。国家高新技术企业，江苏省潜在独角兽企业，江苏省双创企业，广东省科技进步二等奖等荣誉。累计获得专利等知识产权100多项。
英嘉通氮化镓功率器件量产规格超过20款，高压和低压种类齐全，出货量位居国内前列；氮化镓射频芯片已大批量出货，细分领域龙头；碳化硅功率器件在消费、工业和车规行业批量出货，750V-3300V，13mΩ-55Ω，产品系列全，出货量行业领先。
GaN To Go，SiC To Go，英嘉通团队始终坚持做客户满意和用户喜爱的好产品。英嘉通长期坚持引领射频和功率半导体的技术革新服务人类，携手合作伙伴共同推进第三代半导体的全球大规模应用。
